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diXフィルム電気特性

diXフィルムは電気絶縁性に優れ、かつ低誘電率、低誘電正接です。一般的なdiX C、HR、SRフィルムの場合、膜厚10μmで約2kV、膜厚20μmで約4kVの絶縁性があります。

試験項目		diXフィルム								試験方法（ASTM）
試験項目		diX C	diX N	diX D	diX SR	diX HR	diX NR	diX SF	diX CF	試験方法（ASTM）
誘電率	60Hz	3.10	2.65	2.90	3.34	3.33	2.69	2.19	2.20	D150
	1KHz	2.83	2.65	2.87	3.06	3.04	2.67	2.18	2.20
	1MHz	2.87	2.67	2.83	2.70	2.67	2.65	2.16	2.19
誘電正接	60Hz	0.027	0.0002	0.0066	0.0508	0.0536	0.0027	0.0029	0.0013
	1KHz	0.015	0.0002	0.0047	0.0442	0.046	0.0015	0.0027	0.0011
	1MHz	0.014	0.0009	0.0024	0.0142	0.0145	0.0016	0.0028	0.0010
絶縁破壊強さ (KV/mm)		271.7	275.6	265.0	250.0	259.1	268.9	－	182.0	D149
体積抵抗 (Ω・cm)		6.90E+16	1.40E+17	3.10E+16	2.50E+16	2.50E+16	7.40E+15	4.10E+16	1.00E+17	D257
表面固有抵抗 (Ω)		2.20E+15	1.00E+13	3.00E+16	1.20E+16	2.10E+16	5.20E+15	1.20E+16	4.70E+13
※diX C、N、D、HR、SR、NR、CFは約25μmでの測定。diX SFは10～18μmでの測定。

diXフィルムは全般的に低誘電率、低誘電正接です。特に高付加価値製品であるdiX SF、diX CFは2.2程度の低誘電率となっています。

■diXフィルムの膜厚における絶縁破壊電圧

diXコーティングを行い薄膜コーティングする事で、
優れた絶縁性を付与する事が可能です。