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diX Nの特長
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電気特性に特に優れます(低誘電率、低誘電正接)。
微細部への浸透性に優れ、ゴム製品の潤滑性付与に適します。
シリコーンゴムへの密着性に特に優れます。
被覆性、膜厚均一性に非常に優れますが、成膜速度は遅く、diX Cの1/5程度です。膜厚10μm以下の用途に適します。 |
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使用耐熱温度 |
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大気中100℃、無酸素環境240℃ |
長期使用耐熱温度※1 |
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大気中90℃ |
| 主な用途 |
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医療機器、インプラント、ゴム製品 |
適用規格 |
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USP Class VI
biocompatibility testing
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RoHS |
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FDA Drug and Device Master files, |
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※1フィルムの絶縁破壊電圧が当初の50%程度まで低下する時間を10,000時間とした場合の温度を表している。
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