diX Fは、化学気相蒸着法(CVD) にて均質な有機膜を形成する、ULSI用 層間絶縁膜材料として開発されました。
　diX Fフィルムは、比誘電率が非常に低く(VLK)、高温で非常に安定で、吸水性はほとんどありません。
またCu拡散阻止能に優れ、密着力が強く、段差被覆性、埋め込み性にも優れております。

　 diX F is an interlayer insulating film for ULSI, which has very low dielectric constant ( VLK ), high thermal stability, very low moisture absorption, effective Cu barrier, strong adhesion, effective step coverage and gap fill property. This film is formed by Chemical Vapor Deposition process (CVD).
 　

　 Dielectric constant (1MHz)
：
 　 ２．２５
　 Thermal stability
：
 　 ４００℃
　 * 上記の数値は代表値です　　　 　　　　　　　　* The figures shown above are typical values only



Dimer
solid 		　 Dimer
gas 		Dimer
gas		 　 Monomer
gas 		Monomer
gas 		　 Polymer
(diX F film)
　 　 　


販売元
　KISCO　株式会社
　KISCO LTD.

   製造元
　第三化成　株式会社
　Daisan Kasei Co.,Ltd
　〒103-8410 　東京都中央区日本橋本町4-11-2
　4-11-2 Nihonbashi Honcho, Chuo-ku, Tokyo, Japan 103-8410 		　 　

　TEL: +81-3-3663-0272
FAX: +81-3-3661-6459
　URL: http://www.kisco-net.com/